Indium fosfit InP

Tavsif

Indium fosfit InP,CAS No 22398-80-7, erish nuqtasi 1600 ° C, III-V oilasining ikkilik birikmali yarimo'tkazgichi, yuz markazli kubik "sink blende" kristalli strukturasi, III-V yarimo'tkazgichlarning ko'pchiligi bilan bir xil bo'lib, undan sintez qilinadi. 6N 7N yuqori tozalikdagi indiy va fosfor elementi va LEC yoki VGF texnikasi bilan yagona kristallga o'stirilgan.Indiy fosfid kristalli n-tipi, p-tipi yoki yarim izolyatsion o'tkazuvchanlikka ega bo'lib, diametri 6 ″ (150 mm) gacha bo'lgan gofret ishlab chiqarish uchun to'g'ridan-to'g'ri tarmoqli bo'shlig'i, elektronlar va teshiklarning yuqori harakatchanligi va samarali issiqlik bilan ajralib turadi. o'tkazuvchanlik.Western Minmetals (SC) korporatsiyasida Indium Phosphide InP Wafer asosiy yoki sinov darajasi 2" 3" 4" va 6" (150 mm gacha) diametrli p-tipli, n-tipli va yarim izolyatsion o'tkazuvchanlik bilan taklif qilinishi mumkin, Orientatsiya <111> yoki <100> va qalinligi 350-625 um, sirt bilan ishlangan va sayqallangan yoki Epi-tayyor jarayon.Ayni paytda, so'rov bo'yicha 2-6 "indium fosfidli yagona kristalli ingot mavjud.D(60-75) x Uzunlik (180-400) mm oʻlchamdagi polikristalin Indium Fosfidi InP yoki Koʻp kristalli InP ingoti, tashuvchi konsentratsiyasi 6E15 yoki 6E15-3E16 dan kam boʻlgan 2.5-6.0kg ham mavjud.Mukammal yechimga erishish uchun so'rov bo'yicha har qanday moslashtirilgan spetsifikatsiya mavjud.

Ilovalar

Indium Phosphide InP gofreti optoelektronik komponentlar, yuqori quvvatli va yuqori chastotali elektron qurilmalarni ishlab chiqarishda, epitaksial indiy-galiy-arsenid (InGaAs) asosidagi opto-elektron qurilmalar uchun substrat sifatida keng qo'llaniladi.Indium fosfid optik tolali aloqa, mikroto'lqinli quvvat manbalari qurilmalari, mikroto'lqinli kuchaytirgichlar va eshik FET qurilmalari, yuqori tezlikdagi modulyatorlar va fotodetektorlar, sun'iy yo'ldosh navigatsiyasi va boshqalarda juda istiqbolli yorug'lik manbalari uchun ishlab chiqarishda.

Hozir so'rov

Tafsilotlar

Teglar

Texnik spetsifikatsiya

Indium fosfit InP

Indiy fosfit yagona kristalliWestern Minmetals (SC) korporatsiyasidagi gofret (InP kristalli ingot yoki gofret) diametri 2" 3" 4" va 6" (150 mm gacha) o'lchamdagi p-tipli, n-tipli va yarim izolyatsion o'tkazuvchanlikka ega bo'lishi mumkin, Orientatsiya <111> yoki <100> va qalinligi 350-625 um, sirt bilan ishlangan va sayqallangan yoki Epi-tayyor jarayon.

Indiy fosfidi Polikristalyoki D(60-75) x L(180-400) mm oʻlchamdagi Multi-Crystal ingot (InP poly ingot) 2.5-6.0kg, tashuvchi konsentratsiyasi 6E15 yoki 6E15-3E16 dan kam boʻlgan holda mavjud.Mukammal yechimga erishish uchun so'rov bo'yicha har qanday moslashtirilgan spetsifikatsiya mavjud.

Yo'q.	Elementlar	Standart spetsifikatsiya
1	Indiy fosfit yagona kristalli	2"	3"	4"
2	Diametri mm	50,8±0,5	76,2±0,5	100±0,5
3	O'sish usuli	VGF	VGF	VGF
4	O'tkazuvchanlik	P/Zn qo'shilgan, N/(S qo'shilgan yoki qo'llanilmagan), Yarim izolyatsion
5	Orientatsiya	(100)±0,5°, (111)±0,5°
6	Qalinligi mkm	350±25	600±25	600±25
7	Orientatsiya Yassi mm	16±2	22±1	32,5±1
8	Identifikatsiya Yassi mm	8±1	11±1	18±1
9	Harakatlanish sm2/Vs	50-70, >2000, (1,5-4)E3
10	Tashuvchi konsentratsiyasi sm-3	(0,6-6)E18, ≤3E16
11	TTV mikron maks	10	10	10
12	Bow mikron maks	10	10	10
13	Buzilish mkm maks	15	15	15
14	Dislokatsiya zichligi sm-2 maks	500	1000	2000
15	Yuzaki tugatish	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	Qadoqlash	Alyuminiy kompozit sumkada muhrlangan bitta gofretli idish.

Yo'q.	Elementlar	Standart spetsifikatsiya
1	Indiy fosfit ingot	Polikristalli yoki ko'p kristalli ingot
2	Kristal hajmi	D (60-75) x L (180-400) mm
3	Bir kristall ingotning vazni	2,5-6,0 kg
4	Mobillik	≥3500 sm²/VS
5	Tashuvchi konsentratsiyasi	≤6E15 yoki 6E15-3E16 sm^-3
6	Qadoqlash	Har bir InP kristalli ingot yopiq plastik qopda, bitta karton qutida 2-3 ingot.

Chiziqli formula	InP
Molekulyar og'irlik	145,79
Kristal tuzilishi	Sink aralashmasi
Tashqi ko'rinish	Kristalli
Erish nuqtasi	1062 ° S
Qaynash nuqtasi	Yoʻq
Zichlik 300K	4,81 g/sm³
Energiya bo'shlig'i	1,344 eV
Ichki qarshilik	8,6E7 Ō-sm
CAS raqami	22398-80-7
EC raqami	244-959-5

Indium fosfit InP gofretioptoelektronik komponentlar, yuqori quvvatli va yuqori chastotali elektron qurilmalarni ishlab chiqarishda, epitaksial indiy-galiy-arsenid (InGaAs) asosidagi opto-elektron qurilmalar uchun substrat sifatida keng qo'llaniladi.Indium fosfid optik tolali aloqa, mikroto'lqinli quvvat manbalari qurilmalari, mikroto'lqinli kuchaytirgichlar va eshik FET qurilmalari, yuqori tezlikdagi modulyatorlar va fotodetektorlar, sun'iy yo'ldosh navigatsiyasi va boshqalarda juda istiqbolli yorug'lik manbalari uchun ishlab chiqarishda.