Galiy antimonid GaSb

Tavsif

Galiy antimonid GaSb, sink-blend panjarali tuzilishga ega III-V guruh birikmalarining yarimo'tkazgichi, 6N 7N yuqori toza galliy va surma elementlari bilan sintezlanadi va yo'nalishda muzlatilgan polikristalli ingot yoki VGF usulida EPD<1000sm bo'lgan LEC usulida kristallgacha o'stiriladi.^-3.GaSb gofreti elektr parametrlarining yuqori bir xilligi, noyob va doimiy panjara tuzilmalari va kam nuqson zichligi, boshqa metall bo'lmagan birikmalarga qaraganda eng yuqori sinishi indeksiga ega bo'lgan yagona kristalli ingotga kesilishi va undan keyin ishlab chiqarilishi mumkin.GaSb aniq yoki noto'g'ri yo'nalish, past yoki yuqori qo'shimchali konsentratsiya, yaxshi sirt qoplamasi va MBE yoki MOCVD epitaksial o'sishi uchun keng tanlov bilan qayta ishlanishi mumkin.Gallium Antimonide substrati eng zamonaviy foto-optik va optoelektronik ilovalarda, masalan, fotodetektorlar, uzoq umr, yuqori sezgirlik va ishonchlilik bilan infraqizil detektorlar, fotorezist komponentlar, infraqizil LEDlar va lazerlar, tranzistorlar, termal fotovoltaik hujayralarni ishlab chiqarishda qo'llaniladi. va termo-fotovoltaik tizimlar.

Yetkazib berish

Western Minmetals (SC) korporatsiyasidagi Gallium Antimonide GaSb n-tipi, p-tipi va 2" 3" va 4" (50mm, 75mm, 100mm) diametrli, yo'nalishi <111> o'lchamdagi qo'shilmagan yarim izolyatsion o'tkazuvchanlik bilan taklif qilinishi mumkin. yoki <100> va gofret sirti kesilgan, o'yib ishlangan, sayqallangan yoki yuqori sifatli epitaksiyaga tayyor.Barcha bo'laklar identifikatsiya qilish uchun alohida lazer bilan chizilgan.Shu bilan birga, polikristalli galyum antimonid GaSb bo'lagi ham so'rov bo'yicha mukammal yechimga moslashtiriladi.

Hozir so'rov

Tafsilotlar

Teglar

Texnik spetsifikatsiya

Galliy antimonid

GaSb

Galiy antimonid GaSbSubstrat eng zamonaviy foto-optik va optoelektronik ilovalarda, masalan, fotodetektorlar, uzoq umr, yuqori sezgirlik va ishonchlilikka ega infraqizil detektorlar, fotorezist komponentlar, infraqizil LEDlar va lazerlar, tranzistorlar, termal fotovoltaik hujayralar va termoelektronikada qo'llaniladi. -fotovoltaik tizimlar.

	Elementlar	Standart spetsifikatsiya
1	Hajmi	2"	3"	4"
2	Diametri mm	50,5±0,5	76,2±0,5	100±0,5
3	O'sish usuli	LEC	LEC	LEC
4	O'tkazuvchanlik	P-tipi/Zn-qo'shimchasi, qo'shilmagan, N-tipi/Te-qo'shimchasi
5	Orientatsiya	(100)±0,5°, (111)±0,5°
6	Qalinligi mkm	500±25	600±25	800±25
7	Orientatsiya Yassi mm	16±2	22±1	32,5±1
8	Identifikatsiya Yassi mm	8±1	11±1	18±1
9	Harakatlanish sm2/Vs	200-3500 yoki kerak bo'lganda
10	Tashuvchi konsentratsiyasi sm-3	(1-100)E17 yoki kerak bo'lganda
11	TTV mikron maks	15	15	15
12	Bow mikron maks	15	15	15
13	Buzilish mkm maks	20	20	20
14	Dislokatsiya zichligi sm-2 maks	500	1000	2000
15	Yuzaki tugatish	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	Qadoqlash	Alyuminiy sumkada muhrlangan bitta gofretli konteyner.

Chiziqli formula	GaSb
Molekulyar og'irlik	191.48
Kristal tuzilishi	Sink aralashmasi
Tashqi ko'rinish	Kulrang kristall qattiq
Erish nuqtasi	710 ° S
Qaynash nuqtasi	Yoʻq
Zichlik 300K	5,61 g/sm³
Energiya bo'shlig'i	0,726 eV
Ichki qarshilik	1E3 Ō-sm
CAS raqami	12064-03-8
EC raqami	235-058-8

Galiy antimonid GaSbWestern Minmetals (SC) korporatsiyasida diametri 2” 3” va 4” (50mm, 75mm, 100mm) oʻlchamdagi, yoʻnalishi <111> yoki <100 boʻlgan n-tipli, p-tipli va qoʻllanilmagan yarim izolyatsion oʻtkazuvchanlik bilan taklif qilinishi mumkin. >, va gofret yuzasi bilan kesilgan, o'yib ishlangan, sayqallangan yoki yuqori sifatli epitaksiyaga tayyor.Barcha bo'laklar identifikatsiya qilish uchun alohida lazer bilan chizilgan.Shu bilan birga, polikristalli galyum antimonid GaSb bo'lagi ham so'rov bo'yicha mukammal yechimga moslashtiriladi.