Galiy fosfidi GaP

Tavsif

Gallium Fosfidi GaP, boshqa III-V birikma materiallari kabi noyob elektr xususiyatlariga ega muhim yarimo'tkazgich bo'lib, termodinamik jihatdan barqaror kubik ZB tuzilishida kristallanadi, bilvosita tarmoqli bo'shlig'i 2,26 eV (300K) bo'lgan to'q sariq-sariq yarim shaffof kristall materialdir. 6N 7N yuqori tozalikdagi galliy va fosfordan sintez qilingan va Suyuqlik bilan qoplangan Czochralski (LEC) texnikasi bilan yagona kristallga o'stirilgan.Galliy fosfid kristalli n-tipli yarimo'tkazgichni olish uchun oltingugurt yoki tellur bilan qo'shiladi va optik tizimda, elektron va boshqa optoelektronika qurilmalarida qo'llaniladigan istalgan gofretni ishlab chiqarish uchun p-tipli o'tkazuvchanlik sifatida rux qo'shiladi.Yagona Crystal GaP gofreti LPE, MOCVD va MBE epitaksial ilovangiz uchun Epi-Ready sifatida tayyorlanishi mumkin.Western Minmetals (SC) korporatsiyasida yuqori sifatli yagona kristalli Gallium fosfid GaP gofreti p-tipi, n-tipi yoki qo'shilmagan o'tkazuvchanlik 2 "va 3" (50 mm, 75 mm diametrli), yo'nalishi <100>, <111 o'lchamlarda taklif qilinishi mumkin. > sirtini kesilgan, sayqallangan yoki epi-tayyor jarayon bilan.

Ilovalar

Kam oqim va yorug'lik chiqarishda yuqori samaradorlik bilan Gallium fosfid GaP gofreti arzon qizil, to'q sariq va yashil yorug'lik chiqaradigan diodlar (LED) va sariq va yashil LCD va boshqalarning orqa yorug'ligi va LED chiplari kabi optik displey tizimlari uchun javob beradi. past va o'rta nashrida, GaP infraqizil sensorlar va monitoring kameralarini ishlab chiqarish uchun asosiy substrat sifatida ham keng qo'llaniladi.

Hozir so'rov

Tafsilotlar

Teglar

Texnik spetsifikatsiya

Galiy fosfidi GaP

Western Minmetals (SC) korporatsiyasida yuqori sifatli yagona kristalli Gallium Fosfid GaP gofret yoki substrat p-tipi, n-tipi yoki qo'shilmagan o'tkazuvchanlik diametri 2 "va 3" (50 mm, 75 mm), yo'nalishi <100> o'lchamida taklif qilinishi mumkin. , <111> sirti kesilgan, lattalangan, oʻyib ishlangan, sayqallangan, epi-tayyor ishlov berilgan, alyuminiy kompozit sumkada muhrlangan bitta gofret idishida yoki mukammal yechimga moslashtirilgan spetsifikatsiya sifatida.

Yo'q.	Elementlar	Standart spetsifikatsiya
1	GaP hajmi	2"
2	Diametri mm	50,8 ± 0,5
3	O'sish usuli	LEC
4	O'tkazuvchanlik turi	P-turi/Zn-qo'shimchasi, N-tipi/(S, Si,Te)-qo'shimchasi, qo'shilmagan
5	Orientatsiya	<1 1 1> ± 0,5°
6	Qalinligi mkm	(300-400) ± 20
7	Qarshilik Ō-sm	0,003-0,3
8	Orientatsiya tekisligi (OF) mm	16±1
9	Identifikatsiya Flat (IF) mm	8±1
10	Zalning harakatchanligi sm2/Vs min	100
11	Tashuvchi konsentratsiyasi sm^-3	(2-20) E17
12	Dislokatsiya zichligi sm^-2maks	2.00E+05
13	Yuzaki tugatish	P/E, P/P
14	Qadoqlash	Alyuminiy kompozit sumkada muhrlangan bitta gofretli idish, tashqarida karton quti

Chiziqli formula	GaP
Molekulyar og'irlik	100.7
Kristal tuzilishi	Sink aralashmasi
Tashqi ko'rinish	To'q sariq
Erish nuqtasi	Yoʻq
Qaynash nuqtasi	Yoʻq
Zichlik 300K	4,14 g/sm³
Energiya bo'shlig'i	2,26 eV
Ichki qarshilik	Yoʻq
CAS raqami	12063-98-8
EC raqami	235-057-2

Gallium fosfidi GaP gofreti, past oqim va yorug'lik chiqarishda yuqori samaradorlik bilan, arzon qizil, to'q sariq va yashil yorug'lik chiqaradigan diodlar (LED) va sariq va yashil LCD va boshqalarning orqa yorug'ligi va pastdan o'rtagacha bo'lgan LED chiplari kabi optik displey tizimlari uchun javob beradi. yorqinligi, GaP shuningdek, infraqizil sensorlar va monitoring kameralarini ishlab chiqarish uchun asosiy substrat sifatida keng qo'llaniladi.